삼성 HBM5에 2나노 GAA 탑재, 속도 50% 더 빨라져요
HBM4E가 4나노 공정의 베이스 다이로 시장에 나서는 동안, 삼성전자는 이미 한 세대 건너뛴 로드맵을 그리고 있었어요. 다음 타자인 HBM5에는 곧바로 2나노 GAA 공정을 얹겠다는 전략입니다. 한 마디로 지금의 4나노 베이스 다이와 2년 뒤 2나노 베이스 다이 사이에는 공정만 두 세대, 성능 격차는 50% 이상 벌어지게 되는 거죠. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 지난 27일 삼성전자 반도체 … 더 읽기