HBM4E가 4나노 공정의 베이스 다이로 시장에 나서는 동안, 삼성전자는 이미 한 세대 건너뛴 로드맵을 그리고 있었어요. 다음 타자인 HBM5에는 곧바로 2나노 GAA 공정을 얹겠다는 전략입니다. 한 마디로 지금의 4나노 베이스 다이와 2년 뒤 2나노 베이스 다이 사이에는 공정만 두 세대, 성능 격차는 50% 이상 벌어지게 되는 거죠. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 지난 27일 삼성전자 반도체 … 더 읽기
삼성전자가 차세대 고대역폭메모리 HBM5에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노 공정을 적용한다고 27일 공식 발표했다. 전작인 HBM4E 대비 동작 속도를 50% 이상 끌어올리겠다는 구체적인 수치까지 함께 공개된 터라, 이번 발표는 단순한 로드맵 업데이트가 아니라 삼성의 HBM 기술 주도권 선언에 가깝다는 분석이 나온다. 삼성전자 메모리사업부는 이날 HBM5 개발 계획을 공개하며 “HBM4E보다 50% 이상 빠른 동작 속도를 구현할 것”이라고 밝혔다. … 더 읽기
6월 12일 오후, 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 임직원들이 모인 경영현황 설명회. 한진만 사장이 단상에 올랐다. 분위기는 무거웠다. 파운드리 사업부는 올해도 적자 행진을 이어가고 있으니까. 하지만 한 사장의 첫마디엔 예상 밖의 숫자가 담겨 있었다. “2028년에는 흑자 달성 가능성이 높다.” 삼성전자 파운드리 사업의 연간 흑자 전환 시점이 공식적으로 처음 제시된 순간이다. 한 사장은 그간 업계에서 “올해 하반기 흑자 … 더 읽기
6월 4일 밤 삼성전자 파운드리사업부에서 올린 기술 브리핑 한 편이 반도체 업계를 술렁이게 만들었다. 2나노미터(nm) 공정의 고질병이던 ‘발열’ 문제를 잡을 신기술 ‘HPB(High Performance Booster)’의 상용화 임박 소식이 담겼기 때문이다. TSMC와의 2나노 경쟁에서 그동안 삼성의 발목을 잡아온 게 바로 열 관리였는데, 이번에 그 매듭을 푼 셈이다. 뉴스1 보도에 따르면 HPB는 트랜지스터 채널 하단에 열 배출 전용 … 더 읽기