삼성전자가 차세대 고대역폭메모리 HBM5에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노 공정을 적용한다고 27일 공식 발표했다. 전작인 HBM4E 대비 동작 속도를 50% 이상 끌어올리겠다는 구체적인 수치까지 함께 공개된 터라, 이번 발표는 단순한 로드맵 업데이트가 아니라 삼성의 HBM 기술 주도권 선언에 가깝다는 분석이 나온다.
삼성전자 메모리사업부는 이날 HBM5 개발 계획을 공개하며 “HBM4E보다 50% 이상 빠른 동작 속도를 구현할 것”이라고 밝혔다. GAA 2나노 공정을 HBM에 접목하는 것은 업계 최초다. 기존 HBM4E는 4나노급 공정을 사용했는데, 한 단계 건너뛰어 2나노로 직행하는 파격적인 선택이다.
GAA는 트랜지스터 채널을 4면에서 감싸는 구조로, 기존 핀펫(FinFET) 대비 전력 효율과 성능이 크게 개선된다. 이걸 HBM에 적용한다는 건 로직과 메모리의 경계를 허물어 메모리 자체에 연산 능력을 더하는 ‘지능형 메모리’로 가는 과도기라는 해석도 나온다. 삼성은 이미 파운드리에서 2나노 GAA 양산을 시작했고, 이 기술을 메모리 영역으로 확장할 수 있다는 걸 입증한 셈이다.
구체적 수치도 인상적이다. 동작 속도 50% 향상은 HBM4E의 8Gbps 대역폭을 12Gbps 이상으로 끌어올릴 가능성을 시사한다. 엔비디아의 차세대 GPU 루빈(Rubin)과 AMD의 MI400 시리즈가 요구하는 대역폭에 정확히 맞아떨어지는 수준이다.
업계에서는 삼성이 이번 발표로 SK하이닉스와의 HBM 경쟁에서 기술 우위를 확보하려는 전략을 분명히 했다고 본다. SK하이닉스는 HBM3E에 이어 HBM4에서도 엔비디아의 주요 공급사로 자리 잡은 상태다. 삼성은 HBM3와 HBM4에서 기술 검증 지연으로 고전했는데, HBM5 시점을 기점으로 판을 완전히 뒤집겠다는 구상으로 읽힌다. 시장조사업체 옴디아는 HBM5 시장이 개화하는 2028년 삼성의 HBM 점유율이 현재 35%에서 45%까지 상승할 것으로 전망했다.
파이낸셜뉴스·디지털데일리·경향신문 등 국내 주요 매체가 이날 일제히 보도에 나섰고, 외신에서도 삼성의 ‘2나노 HBM’ 청사진에 주목하는 분위기다.
한 가지 더 눈여겨볼 대목은 타이밍이다. 27일은 삼성전자가 경기도 화성에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2026’을 개최한 날이기도 하다. HBM5 발표는 파운드리 행사에서 로직-메모리 통합을 강조하는 삼성의 ‘원 팀’ 전략의 연장선에 있다. AI 시대엔 메모리와 로직을 따로 떼어놓고 말할 수 없다는 메시지인 거죠.
HBM5 양산 시점은 2027년 하반기로 예상된다. 2나노 GAA 공정이 이 시기에 안정화될지가 관건이다. 삼성은 올해 2나노 공정 양산을 시작했지만 수율 안정화가 숙제인 상황이고, HBM5까지 1년 반이 채 남지 않았다. HBM 시장 규모는 올해 250억 달러에서 2028년 700억 달러까지 성장할 전망이라, 3사 모두 한 발도 물러설 수 없는 승부처다.
SK하이닉스도 HBM5 로드맵을 가동 중이고, 마이크론 역시 HBM4 이후 세대를 준비하고 있어 경쟁은 더 치열해질 전망이에요. 결국 삼성에 남은 숙제는 ‘할 수 있다’를 ‘해냈다’로 바꾸는 실행력 하나라는 점, 이번 발표가 말해주는 핵심이기도 해요.
- 원문: 경향신문 — 삼성전자 “HBM5, 최선단 2나노 공정으로 동작속도 50% 향상”
- 파이낸셜뉴스 — 삼성전자 “HBM5에 GAA기반 2나노 공정 적용…동작속도 50% 높일 것”
- 작성: sw4u 9시뉴스 안나영 / 2026-07-27 21:00