삼성 탈 Arm 설계자, 아마존 AI 칩 심장 만든다

삼성이 수년간 추진해온 ‘탈(脫) Arm’ 전략의 핵심 설계자가 이번에는 아마존으로 자리를 옮겨 AI 칩 개발에 나섰다는 소식이에요. 왜 지금 이 인사 이동이 한국 반도체 업계에서 유독 주목받고 있는지, 그 배경을 짚어볼 필요가 있어 보여요. IT조선 보도에 따르면, 삼성전자 시스템LSI 사업부에서 Arm 아키텍처 의존도를 낮추는 프로젝트를 이끌었던 전직 임원이 최근 아마존의 AI 칩 개발 조직에 합류했어요. … 더 읽기

삼성·LG, AI 인프라 동맹이 갈렸다 — 승자는 누구?

한국 대표 기업 두 곳이 AI 인프라 주도권을 두고 완전히 다른 길을 택했어요. 왜 삼성은 브로드컴과, LG는 엔비디아와 손을 잡았을까요? 지난주 삼성전자가 브로드컴과 2030년까지 2,000억 달러(약 290조 원) 규모 AI 반도체 협력을 발표한 데 이어, LG그룹도 엔비디아와의 AI 인프라 동맹을 공식화했어요. 이로써 국내 양대 그룹의 AI 전략이 뚜렷하게 갈리게 된 거죠. 삼성-브로드컴 연합은 HBM(고대역폭메모리)과 커스텀 … 더 읽기

삼성 HBM4가 SK하이닉스마저 넘는다는데, 근거는 뭘까요?

삼성전자가 내년 HBM 시장에서 SK하이닉스를 추월할 것이라는 전망이 글로벌 투자은행과 시장조사기관들 사이에서 잇따라 나오고 있다. 불과 1년 전만 해도 “삼성이 HBM에서 SK하이닉스를 넘기 어렵다” 는 시각이 지배적이었는데, 이제는 “역전이 시간문제” 라는 쪽으로 분위기가 완전히 돌아섰다. 무엇이 이렇게 바뀌었을까? UBS는 7월 31일 보고서를 통해 “삼성전자의 HBM4 전환 속도가 예상보다 빠르다” 며 2027년 기준 HBM 시장 점유율을 … 더 읽기

삼성 임원평가 AI 배점 10배, 못 다루면 승진 못해요

10배. 2026년 하반기 삼성전자 임원 인사에서 AI 역량 평가 비중이 기존 대비 정확히 10배로 뛰었어요. 작년만 해도 평가표 한 귀퉁이를 차지하던 ‘디지털 전환’ 항목이, 지금은 세부 지표 7개로 쪼개져 전체 평가의 20%를 차지하는 핵심 축이 됐거든요. 삼성전자가 31일 사내 공지한 ‘2026 하반기 임원 평가 체계 개편’에 따르면, 전 계열사 임원을 대상으로 AI 이해도·활용 실적·조직 내 … 더 읽기

삼성 반도체 89.5조 벌 때 스마트폰 첫 적자, 왜?

7월 31일 오전, 서울 서초동 삼성전자 사옥. 2분기 실적 발표를 앞둔 브리핑 룸에는 평소보다 두 배 많은 취재진이 몰렸어요. 반도체가 사상 최대 이익을 냈다는 속보가 이미 시장에 돌고 있었지만, 정작 취재진의 질문은 한 곳에 집중됐거든요. “스마트폰 사업은 얼마나 적자를 봤습니까?” 숫자를 정리해보면 이래요. 삼성전자의 2분기 영업이익은 89조 5,000억 원. 이 중 반도체(DS) 부문이 89조 2,000억 … 더 읽기

삼성전자, 반도체 스타트업 기술 확보에 8천억 출자

삼성전자가 반도체 스타트업 투자와 미래 기술 확보를 위해 8,000억원 규모의 출자를 단행한다. 이와 함께 ADR 상장은 검토하지 않는다는 입장도 분명히 했다. 반도체 위기론이 고개를 드는 시장 환경에서 삼성전자가 선택한 카드는 외부 자금 유치가 아닌 내부 현금을 통한 기술 투자인 셈이죠. 단순한 재무적 투자가 아니에요. 삼성전자는 이번 출자를 통해 국내외 유망 반도체 스타트업을 발굴하고, AI 반도체 … 더 읽기

삼성·SK하이닉스 2분기 합산 영업익 150조, AI 메모리가 끌었다

삼성전자와 SK하이닉스가 2분기 나란히 역대 최대 실적을 기록한 건 단순한 호재가 아니에요. 이 숫자 뒤에는 글로벌 AI 투자가 정점을 찍고 있다는 신호와, 한국 반도체가 그 투자의 최대 수혜자로 자리 잡았다는 구조 변화가 숨어 있거든요. 두 회사의 2분기 합산 영업이익은 약 150조 원으로 추정돼요. 이는 전년 동기 대비 2배 가까운 수준이고, 반도체 슈퍼사이클로 불렸던 2018년 정점을 … 더 읽기

삼성 HBM5에 2나노 GAA 탑재, 속도 50% 더 빨라져요

HBM4E가 4나노 공정의 베이스 다이로 시장에 나서는 동안, 삼성전자는 이미 한 세대 건너뛴 로드맵을 그리고 있었어요. 다음 타자인 HBM5에는 곧바로 2나노 GAA 공정을 얹겠다는 전략입니다. 한 마디로 지금의 4나노 베이스 다이와 2년 뒤 2나노 베이스 다이 사이에는 공정만 두 세대, 성능 격차는 50% 이상 벌어지게 되는 거죠. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 지난 27일 삼성전자 반도체 … 더 읽기

삼성 HBM 하이브리드 본딩, 화성서 준양산 체제 돌입

HBM3E까지는 ‘누가 더 빨리 D램을 쌓느냐’의 싸움이었다면, HBM4부터는 ‘누가 더 정교하게 붙이느냐’로 판이 완전히 바뀌고 있어요. 삼성전자가 바로 그 전환점에 해당하는 핵심 기술의 준양산 체제를 화성에서 갖추기 시작했거든요. 삼성전자가 경기도 화성사업장에 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 하이브리드 카파 본딩(HCB) 준양산라인 구축에 속도를 내고 있습니다. HCB는 D램 칩을 수직으로 쌓을 때 기존의 범프 연결 방식 대신 칩과 칩을 직접 … 더 읽기

삼성 HBM5에 2나노 GAA 탑재, 속도 50% 높인다

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리 HBM5에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노 공정을 적용한다고 27일 공식 발표했다. 전작인 HBM4E 대비 동작 속도를 50% 이상 끌어올리겠다는 구체적인 수치까지 함께 공개된 터라, 이번 발표는 단순한 로드맵 업데이트가 아니라 삼성의 HBM 기술 주도권 선언에 가깝다는 분석이 나온다. 삼성전자 메모리사업부는 이날 HBM5 개발 계획을 공개하며 “HBM4E보다 50% 이상 빠른 동작 속도를 구현할 것”이라고 밝혔다. … 더 읽기