삼성 HBM4 증산 신호, 4나노 절반이 베이스 다이네요
지난달부터 평택 2·3캠퍼스의 4나노 라인에선 HBM4용 베이스 다이를 찍는 웨이퍼가 부쩍 늘었어요. 삼성전자 파운드리가 하반기 물량 확대를 앞두고, 4나노 생산능력의 절반 이상을 이 칩 한 종류에 쏟아붓기 시작했거든요. 평택 4나노 캐파의 절반이 HBM4용 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노미터(nm) 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4용 베이스 다이 제조에 투입하고 있어요. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면 … 더 읽기