삼성 V10 낸드 400단 공개, AI 스토리지 정조준

삼성전자가 400단을 넘어선 10세대 V낸드 ‘V10 BV-낸드’의 개발 과정과 핵심 기술을 31일 공개했다. 같은 면적에 데이터를 58% 더 담으면서 전력을 25% 줄인 이 제품은 AI 데이터센터용 스토리지 시장을 겨냥한 포석이에요. V10 BV-낸드는 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 저장 반도체 ‘낸드플래시’의 최신 세대예요. 낸드는 데이터를 보관하는 창고를 수직으로 층층이 쌓는 3D 구조로 진화해 왔는데, V10은 그 … 더 읽기

[후속] 삼성·SK, FMS서 엔비디아·구글과 AI 메모리 동맹

6일(현지 시각) 오전, 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터. 삼성전자 기양석 DS부문 미주총괄 상무가 무대에 올랐다. 그의 양옆에는 마이크론, 키옥시아, 에버퓨어 등 글로벌 반도체 기업 관계자들이 자리했다. 사회를 맡은 곳은 다름 아닌 엔비디아였다. 같은 날 오후, SK하이닉스는 구글 딥마인드·샌디스크와 함께 또 다른 무대에 섰다. 세계 최대 메모리 반도체 행사 ‘FMS 2026’에서 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 엔비디아·구글과 AI 메모리 … 더 읽기

SK하이닉스 HBF 첫 표준 공개, AI 메모리 판이 또 바뀌었네요

FMS 2026 현장에서 SK하이닉스가 샌디스크와 함께 HBF(고대역폭 플래시) 표준을 처음 공개했다. HBM에 이어 새로운 메모리 계층을 직접 정의하려는 이 행보는 단순한 신제품 발표가 아니라, AI 메모리 주도권을 둘러싼 경쟁의 ‘판’ 자체가 바뀌고 있다는 신호예요. 6일 뉴스1 보도에 따르면, SK하이닉스는 미국 샌타클래라에서 열린 FMS 2026에서 차세대 AI 메모리 솔루션으로 HBF 규격을 제시했다. HBF는 기존 HBM(고대역폭 메모리)과 … 더 읽기

[후속] 삼성 zHBM 공개, HBM5보다 8배 빨라요

“이제 메모리가 AI 가속기와 물리적으로 분리돼야 할 이유가 없습니다.” 삼성전자가 4일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 플래시 메모리 서밋(FMS) 2026 기조연설에서 꺼내든 한마디다. 이 말과 함께 공개된 차세대 3D 메모리 ‘zHBM’은 HBM5 대비 최대 8배 빠른 성능에 전력 효율은 3배 높인 제품으로, AI 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓아 올리는 적층 아키텍처를 세계 최초로 실물에 담아냈다. 지난주까지만 해도 … 더 읽기