삼성 900단 V낸드 세계 최초 구현…1000단 시대 열렸다

삼성전자가 세계 최초로 900단 V낸드 프로토타입 구현에 성공했다. 경쟁사가 300단 초반에서 경쟁하는 사이, 단숨에 900단 고지에 올라선 셈이죠. 1000단 낸드 시대에 한 걸음 더 다가섰다는 평가가 나오는 이유입니다.

삼성전자 V낸드

25일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 450단 셀 웨이퍼 2장을 하나로 접합하는 ‘셀 멀티 본딩(CMB)’ 기술을 활용해 900단 V낸드를 구현했습니다. 단순한 이론적 적층을 넘어 “정상적인 셀 동작 특성을 검증했다”는 게 삼성전자 측 설명입니다.

낸드플래시는 아파트처럼 단수를 높게 쌓을수록 같은 칩 크기에 더 많은 데이터를 담을 수 있고 전력 효율도 극대화됩니다. AI 서버와 온디바이스 AI 모두 고용량·고효율이 생명이다 보니, 적층 경쟁이 곧 AI 패권 경쟁이라는 말까지 나오는 상황이거든요.

현재 양산 시장에선 SK하이닉스가 321단으로 가장 높은 단수를 기록 중입니다. 삼성전자는 올해 400단급 10세대 V낸드 양산을 준비하는 동시에, 연구 단계에서 900단까지 단번에 도달하며 차세대 시장의 유리한 고지를 점했네요.

웨이퍼 휨부터 정렬 오차까지…기술 장벽을 넘다

적층이 높아질수록 웨이퍼가 휘거나 정렬이 어긋나는 물리적 한계가 가장 큰 난관이었습니다. 삼성전자는 상부 척(Upper Chuck) 설계 고도화로 웨이퍼 휨(Warpage)을 해결했고, 독자적인 오버레이 보정 기술로 접합 시 미세 정렬 오차까지 극복했습니다.

여기에 새 비트라인·워드라인 구조를 적용해 전력 소비와 칩 크기를 동시에 줄이는 성과도 더했어요. 다이어트를 하면서 근육은 더 키운 셈이네요.

이번 성과는 기술 자랑 이상의 의미가 있습니다. 중국 YMTC가 정부 지원을 등에 업고 연내 300단 이상 양산을 목표로 추격 중인데, 가격 경쟁이 시작되면 한국 기업의 수익성이 압박받을 수밖에 없거든요.

업계 관계자는 “900단 낸드는 단순히 300단의 3배가 아니라 적층 공정 패러다임을 바꾸는 기술”이라며 “글로벌 고객사에 삼성이 여전히 기술 리더라는 메시지를 주는 동시에, 중국 기업의 물량·가격 공세를 제한하는 효과를 낼 것”이라고 말했습니다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3D V낸드를 상용화한 이후 적층 한계를 끊임없이 돌파해 왔습니다. 이번 900단 구현으로 다시 한 번 ‘초격차’를 입증한 셈인데, 1000단 시대의 구체적 로드맵이 언제 공개될지가 다음 관전 포인트가 될 전망입니다.