HBM4E가 4나노 공정의 베이스 다이로 시장에 나서는 동안, 삼성전자는 이미 한 세대 건너뛴 로드맵을 그리고 있었어요. 다음 타자인 HBM5에는 곧바로 2나노 GAA 공정을 얹겠다는 전략입니다. 한 마디로 지금의 4나노 베이스 다이와 2년 뒤 2나노 베이스 다이 사이에는 공정만 두 세대, 성능 격차는 50% 이상 벌어지게 되는 거죠.
구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 지난 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA) 구조의 2나노 공정을 적용할 계획”이라고 밝혔어요.
베이스 다이는 GPU나 CPU 같은 외부 프로세서와 HBM 사이에서 데이터를 주고받는 핵심 로직 반도체입니다. HBM의 두뇌 역할을 하는 셈이죠. AI 가속기의 성능 경쟁이 치열해지면서 이 작은 칩 하나의 설계 수준이 전체 시스템 성능을 좌우하는 시대가 열리고 있어요.
삼성전자의 진짜 강점은 여기서 드러납니다. 메모리(코어 다이)는 DS부문 메모리사업부에서, 로직(베이스 다이)은 파운드리사업부에서 각각 만들고, 패키징까지 한 지붕 아래서 해결하는 구조예요. 구 부사장은 이걸 ‘턴키 솔루션’이라고 표현하며 “설계 단계부터 각 조직이 협업해 속도와 전력, 발열, 수율을 최적화할 수 있고 양산 기간도 단축할 수 있어 비용 측면에서도 유리하다”고 강조했어요.
이미 글로벌 무대에서 성과도 속속 나오고 있습니다. 지난해 테슬라의 2나노 제품을 수주한 데 이어 AI·HPC(고성능컴퓨팅)·CSP(클라우드 서비스 사업자) 등 대형 고객사들의 수주가 이어지고 있고, 앤트로픽의 차세대 AI 칩도 2나노 공정 기반 협력이 논의 중이에요. 4나노 공정은 HBM4 베이스 다이와 미국 AI 업체의 LPU 신제품 등에 적용되며 사실상 풀캐파 수준으로 가동 중입니다.
기술 로드맵도 구체적이에요. 삼성전자는 세계 최초 GAA 공정을 적용한 3나노 양산에 이어, 지난해 하반기 2나노 1세대 공정 양산을 시작했어요. 올 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일용 신제품 양산에도 들어갈 예정이에요.
이런 종합 반도체 역량은 HBM 시장의 경쟁 구도에 의미 있는 변수로 작용할 가능성이 커요. 지금까지 HBM은 ‘누가 더 빨리, 더 많이 만들 수 있나’의 싸움이었다면, HBM5 세대부터는 ‘누가 베이스 다이를 더 잘 설계하고 최적화할 수 있나’로 승부처가 옮겨가고 있거든요. 그런 의미에서 삼성이 메모리와 파운드리 양쪽에서 동시에 경쟁할 수 있다는 건 후발 주자로서 오히려 차별화된 무기가 될 수 있어요. 다만 HBM4E의 시장 안착과 2나노 공정의 수율 안정화라는 두 과제를 동시에 풀어야 하는 숙제도 남아 있으니까요.
원문: CBS 노컷뉴스 — 삼성전자 “HBM5, 최선단 2나노 공정…동작속도 50% 향상”
작성: sw4u 9시뉴스 안나영 / 2026-07-29 09:00